[发明专利]包括沟槽结构的半导体器件

摘要

本发明涉及包括沟槽结构的半导体器件。半导体器件包括中央部分和在中央部分之外的边缘终止部分。中央部分包括在半导体衬底中的晶体管单元阵列。晶体管单元阵列的晶体管单元的部件被设置在半导体衬底中的邻近沟槽结构中。沟槽结构在平行于半导体衬底的主表面的第一线性方向上延伸。沟槽结构包括在平行于中央部分中的主表面的平面中的多个级连的沟槽段，沟槽段中的至少一个沟槽段连接一个沟槽结构的第一点和第二点，第一点和第二点沿着第一线性方向布置。沟槽段包括在不同于第一方向的方向上伸展的一部分。

主权项

1.一种半导体器件，包括中央部分和在所述中央部分之外的边缘终止部分，所述中央部分包括在半导体衬底中的晶体管单元阵列，/n所述晶体管单元阵列的晶体管单元的部件被设置在所述半导体衬底中的邻近沟槽结构中，/n所述沟槽结构在平行于所述半导体衬底的主表面的第一线性方向上延伸，/n所述沟槽结构包括在所述中央部分中在平行于所述主表面的平面中的多个级连的沟槽段，所述沟槽段中的至少一个沟槽段连接一个沟槽结构的第一点和第二点，所述第一点和所述第二点沿着所述第一线性方向布置，/n其中所述至少一个沟槽段包括在不同于所述第一方向的方向上伸展的一部分，/n其中所述沟槽段是波状的并且所述波状的沟槽段包括具有正曲率的第一沟槽段和具有负曲率的第二沟槽段，并且/n其中全部所述沟槽结构被设置成平行于彼此。/n