[发明专利]一种GR/WS2-AuNPs-WS2复合物分子印迹传感器的制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种GR/WS₂-AuNPs-WS₂复合物分子印迹传感器的制备方法，包括以下步骤：1)制备纳米片层过渡金属二硫化钨；2)制备AuNPs/WS₂复合物；3)制备GR/WS₂-AuNPs-WS₂复合物；3)制备GR/WS₂-AuNPs-WS₂复合物修饰的电极；(4)用GR/WS₂-AuNPs-WS₂复合物作为修饰电极的基底，L-苯丙氨酸做模板分子，2-乙基-4-甲基咪唑做交联剂，甲基丙烯酸做功能单体，制备L-苯丙氨酸分子印迹传感器。本发明还提供了上述分子印迹传感器在检测和分离L-苯丙氨酸的应用。该GR/WS₂-AuNPs-WS₂复合物大大提高了传感器对L-苯丙氨酸检测的灵敏度，结合分子印迹优点，使制备的L-苯丙氨酸分子印迹传感器对L-苯丙氨酸具有高的灵敏度及好的选择性。

主权项

一种GR/WS₂‑AuNPs‑WS₂复合物分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)取钨酸钠和硫代乙酰胺于二次水中混匀，然后于180～200℃反应，取出后冷却至室温，离心分离后洗涤，干燥，得纳米片层过渡金属二硫化钨；2)将步骤1)中的纳米片层过渡金属二硫化钨，以及氯金酸和硼氢化钠加入到二次水中混匀，得混合液；将氨水加入混合液中，振荡后加热，冷却至室温，静置，抽滤，取滤饼，真空冷冻干燥，得到一种附着有金纳米粒子的二硫化钨片层复合物，即AuNPs/WS₂复合物；3)取步骤2)制得的复合物置于亚甲基甲酰胺溶液中，混合均匀，加入步骤1)中制得的二硫化钨混合，静置反应，得到WS₂‑AuNPs‑WS₂复合物；再加入石墨烯，混合均匀后加热，将得到的产物离心分离，洗涤，得GR/WS₂‑AuNPs‑WS₂复合物；4)取步骤3)得到的GR/WS₂‑AuNPs‑WS₂复合物溶于二次水中，得复合物的均匀分散液；取上述分散液均匀滴涂到玻碳电极表面，干燥，即得GR/WS₂‑AuNPs‑WS₂复合物修饰电极；5)制备L‑苯丙氨酸母液，依次加入甲基丙烯酸和2‑乙基‑4甲基咪唑，制得电聚合溶液；将GR/WS₂‑AuNPs‑WS₂复合物修饰电极置于电聚合溶液中，循环伏安法进行电聚合；将聚合后的电极置于0.5M NaOH溶液中，循环伏安法扫描将模板分子洗脱，得到基于GR/WS₂‑AuNPs‑WS₂复合物的L‑苯丙氨酸分子印迹传感器。