[发明专利]一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液在审
| 申请号： | 201510295677.7 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN104988505A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张姗;林春;廖清君;胡晓宁;叶振华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23F1/40 | 分类号： | C23F1/40;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液。它由有机碱溶液四甲基氢氧化铵、去离子水和氧化剂过硫酸铵配制而成。首先将四甲基氢氧化铵溶液与去离子水配置成浓度为5％～20％的混合溶液，再根据混合液的体积加入1g/l～3g/l的过硫酸铵，最后将混合溶液放在温度超过80℃的水浴中加热，在50℃～65℃温度下使用。本发明的特点在于：腐蚀液的使用条件与碲镉汞工艺兼容，不改变碲镉汞芯片的物理特性，保证了分析结果的准确性。腐蚀液的选择性好，能够将Si衬底完全去除，但对缓冲层碲化镉和外延薄膜碲镉汞不腐蚀，获得完整清晰的外延材料观察界面，为从缓冲层碲化镉界面入手对位错进行观察提供了良好的观察样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 si 基碲镉汞 芯片 观察 样品 衬底 腐蚀 | ||
【主权项】：
一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液，它由四甲基氢氧化铵、去离子水和过硫酸铵配制而成，其特征在于：将四甲基氢氧化铵溶液和去离子水配制成质量分数为5％～20％的混合液，然后根据混合液的体积加入1g/l～3g/l的过硫酸铵氧化剂，放在温度超过80℃的水浴中加热溶解，配制好的腐蚀液在50℃～65℃温度下使用。
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