[发明专利]碳化硅半导体器件的退火方法在审
| 申请号： | 201510296003.9 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106298471A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王辉;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅半导体器件制备技术领域，尤其公开了一种碳化硅半导体器件的退火方法，所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片，该退火方法包括步骤：A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中；B、将反应腔室抽真空，并充入保护气体；C、将充入保护气体后的反应腔室升温，并充入反应气体，进行热解反应，碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜；D、将镀有碳膜的碳化硅晶片进行退火处理。根据本发明的退火方法，利用化学气相沉积法，在碳化硅晶片表面形成致密碳膜，使得在后续退火过程中，不仅抑制经离子注入的元素不从碳化硅晶片表面逸出，而且保护碳化硅晶片表面的形貌和粗糙度不发生恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件的退火方法，所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片，其特征在于，所述退火方法包括步骤：A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中；B、将所述反应腔室抽真空，并充入保护气体；C、将充入所述保护气体后的反应腔室升温，并充入反应气体进行热解反应，在所述碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜；D、将镀有所述碳膜的碳化硅晶片进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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