[发明专利]互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法有效
申请号: | 201510296444.9 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN106299109B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 杜刚;李涛;王超;曾中明;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种互补型阻变存储器,包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元;电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层;其中,当电化学金属化存储单元处于高阻态时,向活性电极层施加“读”偏压,电化学金属化存储单元处于高阻态与低阻态之间的易失电阻态;当撤销“读”偏压,电化学金属化存储单元由易失电阻态自动恢复为高阻态;“读”偏压介于第一正向阈值偏压与第二正向阈值偏压之间。本发明还公开了上述互补型阻变存储器的非破坏性读取方法。根据本发明的互补型阻变存储器利用单个高阻态的电化学金属化存储单元在适当电压下的易失性特性,并以该特征作为本征的选通器件,实现非破坏性读取。 | ||
搜索关键词: | 互补 型阻变 存储器 及其 破坏性 读取 方法 | ||
【主权项】:
1.一种互补型阻变存储器,其特征在于,包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元;所述电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层;其中,当所述电化学金属化存储单元处于高阻态时,向所述活性电极层施加“读”偏压,所述电化学金属化存储单元处于高阻态与低阻态之间的易失电阻态;当撤销所述“读”偏压,所述电化学金属化存储单元由易失电阻态自动恢复为高阻态;所述“读”偏压介于第一正向阈值偏压与第二正向阈值偏压之间。
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