[发明专利]图像传感器及降低图像传感器噪声的方法

摘要

本发明提供图像传感器，包括：多个呈阵列排布的像素单元，像素单元包括：源跟随晶体管，源跟随晶体管的沟道区区域靠近栅极氧化层内表面设置有第一N型掺杂区域，或者源跟随晶体管的沟道区区域沿栅极氧化层向内依次设置有P型掺杂区域，第二N型掺杂区域；源跟随晶体管的栅极氧化层较像素单元其它晶体管最厚的栅极氧化层薄至少5埃，增大源跟随晶体管的跨导。

主权项

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：多个呈阵列排布的像素单元，所述像素单元包括：源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的沟道区区域靠近栅极氧化层内表面设置有第一N型掺杂区域，或者所述源跟随晶体管的沟道区区域沿栅极氧化层向内依次设置有P型掺杂区域，第二N型掺杂区域；所述源跟随晶体管的栅极氧化层较所述像素单元其它晶体管最厚的栅极氧化层薄至少5埃，增大所述源跟随晶体管的跨导；所述像素单元还包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源级与复位电压连接；所述复位晶体管的漏极与浮置扩散区连接，所述复位晶体管设置有钳位浮置扩散区电位机制，防止所述浮置扩散区减去源跟随晶体管漏极的电位的绝对值高于源跟随晶体管的漏级、栅极之间的击穿电压：第一状态时,所述复位晶体管打开,转移晶体管关闭；所述复位晶体管的源级接复位电压复位连接于所述复位晶体管漏极的浮置扩散区,所述浮置扩散区电位为第一电压；第二状态时,所述复位晶体管关闭,所述浮置扩散区电位为第二电压，打开所述转移晶体管；所述转移晶体管转移经光电转换元件转换的信号电荷至浮置扩散区转换为信号电压,关闭转移晶体管，所述浮置扩散区信号电压为第三电压,所述第三电压小于第二电压；第三状态时,当第三电压小于等于复位晶体管的栅极电压减去阀值电压值时，所述复位晶体管再次打开,所述复位晶体管的阀值电压低于0V,通过所述复位电压拉高所述第三电压至第四电压；所述浮置扩散区连接所述源跟随晶体管的栅极，所述源跟随晶体管的栅极的电位为第四电压，第四电压减去源跟随晶体管的漏极电位的绝对值小于第五电压,以防止源跟随晶体管漏级、栅极的反向击穿。