[发明专利]一种硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用，所述材料以SiO为基底，在其上修饰一层硅烷化合物，制备方法为一、将硅烷化合物水解，使与硅原子相连的偶联剂的化学键发生水解，生成低聚合度的硅氧烷，同时将SiO粉末于水‑乙醇混合液中进行超声处理；二、水解后的硅烷化合物与SiO混合，在惰性气体氛围下回流升温反应；三、将所述混合溶液进行离心、真空干燥。上述具有硅烷化物修饰层的SiO负极材料可与石墨混合用作锂离子电池负极材料。本发明通过在材料表面修饰一层有机硅化合物，解决由于硅材料在充放电过程中粉化导致的容量衰减快的问题。所采取的工艺路线方便、简单可，易于操作，而且所需材料成本较低，利于工厂大规模生产。

主权项

一种硅烷化合物修饰SiO负极材料的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：一、将硅烷化合物水解20~60min，使与硅原子相连的偶联剂的化学键发生水解，生成低聚合度的硅氧烷，其中溶液pH为弱酸性；同时将SiO粉末于水‑乙醇混合液中进行超声处理；二、水解后的硅烷化合物与SiO混合，在惰性气体氛围下回流升温反应，控制硅烷化合物的质量分数为0.1~50%，反应温度为45~100℃，反应时间1~10h；三、将所述混合溶液进行离心、真空干燥，得到具有硅烷化合物修饰层结构的负极材料，控制真空干燥温度为45~85℃，真空干燥时间为6~10 h。