[发明专利]场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管在审
| 申请号： | 201510296946.1 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106298924A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，场效应晶体管的制备方法，包括：在形成外延层的硅衬底上形成氧化层掩膜和所述氧化层掩膜外围的环形栅极结构，所述环形栅极结构的外围区域即为所述场效应晶体管的硅栅窗口；在形成所述环形栅极结构的外延层上，依次形成第一离子区域和第二离子区域；在所述环形栅极结构的外围的所述第一离子区域内部形成第三离子区域；在形成所述第三离子区域的外延层上形成隔离层和金属电极，以完成所述场效应晶体管的制备过程。通过本发明的技术方案，减小了硅栅结构的电容，进而提升了场效应晶体管的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在形成外延层的硅衬底上形成氧化层掩膜和所述氧化层掩膜外围的环形栅极结构，所述环形栅极结构的外围区域即为所述场效应晶体管的硅栅窗口；在形成所述环形栅极结构的外延层上，依次形成第一离子区域和第二离子区域；在所述环形栅极结构的外围的所述第一离子区域内部形成第三离子区域；在形成所述第三离子区域的外延层上形成隔离层和金属电极，以完成所述场效应晶体管的制备过程。
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