[发明专利]氮化钛膜制备方法在审
申请号: | 201510298327.6 | 申请日: | 2015-06-03 |
公开(公告)号: | CN104911539A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 毕新儒;赵显伟;李文卓;马培培 | 申请(专利权)人: | 陕西航天导航设备有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/28 |
代理公司: | 宝鸡市新发明专利事务所 61106 | 代理人: | 席树文 |
地址: | 721006 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化钛膜制备方法。本发明提供了氮化钛膜制备方法包括双钛靶沉积与刻蚀交替镀膜和双钛靶间断沉积与热处理交替镀膜的两种氮化钛膜制备方法。通过两种不同方式制备钛膜,改善了钛膜层的性能,拓展了其应用范围,同时钛膜层沉积过程中的不同处理方法可为物理气相沉积和化学气相沉积技术提供更多的膜层制备参考方法,它能为钛膜层的制备技术的开发提供技术支持,具有非常好的实用价值和市场拓展前景。 | ||
搜索关键词: | 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化钛膜制备方法,其特征在于,包括:步骤S1,提供待镀膜零件和真空电弧离子镀设备,将所述待镀膜零件放入所述真空电弧离子镀设备的腔室内;步骤S2,对所述腔室进行抽真空和加热处理,当所述腔室的温度和真空度达到设定值后,所述腔室内的工装转台夹持所述待镀膜零件匀速旋转;步骤S3,开启氩气阀门管道,向所述腔室充入氩气,设定工艺参数,开启刻蚀电源对所述待镀膜零件进行氩离子刻蚀;步骤S4,达到刻蚀设定时间后,停止所述工装转台旋转,关闭所述刻蚀电源;步骤S5,对所述腔室进行抽真空和加热处理,当所述腔室的温度和真空度达到设定值后,开启氮气阀门管道,向所述腔室充入氮气;步骤S6,设定工艺参数,所述工装转台夹持所述待镀膜零件匀速旋转;步骤S7,开启钛靶的沉积电源,对待镀膜零件进行沉积处理;步骤S8,达到沉积设定时间后,停止所述工装转台旋转,关闭所述沉积电源;步骤S9,对待镀膜零件循环进行步骤S2‑S7的制备方法;步骤S10,达到设定循环次数后,待所述腔室温度降至80℃以下,对所述腔室经行充气,后从所述腔室取出镀钛膜零件,完成所述镀钛膜零件的加工。
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