[发明专利]改良非易失性存储器的数据保留与读取性能的方法与装置在审
| 申请号： | 201510298741.7 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106205698A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李亚睿;陈冠复 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改良非易失性存储器的数据保留与读取性能的方法与装置。在一实施例中，提供一种控制一非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括一存储器单元阵列，该存储器单元阵列中的各存储器单元包括一可编程浮接栅。该方法包括编程该非易失性存储器的一第一存储器单元的一浮接栅；以及通过造成影响该第一存储器单元的该浮接栅的一耦合效应，偏移该非易失性存储器的该第一存储器单元的该浮接栅的一电压。该方法可包括编程一或多个相邻存储器单元，该耦合效应包括在该第一存储器单元与该一或多个相邻存储器单元间的一浮接栅耦合效应。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 非易失性存储器 数据 保留 读取 性能 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种控制一非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括一存储器单元阵列，该存储器单元阵列中的各存储器单元包括一可编程浮接栅，该方法包括：由一控制器来编程该非易失性存储器的一第一存储器单元的一浮接栅；以及通过造成影响该第一存储器单元的该浮接栅的一耦合效应，该控制器偏移该非易失性存储器的该第一存储器单元的该浮接栅的一电压。
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