[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201510298785.X | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106206499B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡承竣;张宏宾;杨固峰;陈怡秀;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件和方法，该方法利用单个掩模来形成用于衬底通孔以及介电通孔的开口。在实施例中，在第一半导体器件和第二半导体器件上方和之间沉积接触蚀刻停止层。在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接触蚀刻停止层上方沉积介电材料。利用接触蚀刻停止层和介电材料的不同材料，使得单个掩模可以用于形成穿过第一半导体器件的衬底通孔并且以形成穿过介电材料的介电通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体管芯，接合至第二半导体管芯；接触蚀刻停止层，与所述第一半导体管芯的至少三侧和所述第二半导体管芯的顶面物理接触；介电材料，位于所述接触蚀刻停止层的与所述第二半导体管芯相反的一侧上，并且所述介电材料的顶面与所述接触蚀刻停止层在同一平面上，其中，所述介电材料从所述介电材料的顶面延伸至所述介电材料的相对表面，所述相对表面与所述接触蚀刻停止层接触；第一通孔，延伸穿过所述接触蚀刻停止层和所述第一半导体管芯；以及第二通孔，延伸穿过所述介电材料和所述接触蚀刻停止层。
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