[发明专利]具有静电释放保护二极管的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有静电释放保护二极管的半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：S1、对半导体器件衬底的外延层的部分区域进行氧化，形成场氧化区域；S2、对场氧化区域进行刻蚀，使外延层在场氧化区域的上表面低于在非场氧化区域的上表面；S3、并在第一氧化层与场氧化层之上沉积多晶硅层；S4、刻蚀多晶硅，形成位于场氧化区域的静电释放多晶硅以及位于非氧化区域的栅极多晶硅，并使静电释放多晶硅的上表面低于栅极多晶硅的上表面；S5、在步骤S4生成的结构上表面沉积第二氧化层；S6、研磨第二氧化层，用于暴露栅极多晶硅的上表面；S7、沉积金属钛，并生成钛硅合金。本发明的方法可以实现保护二极管正常工作的同时降低栅电阻的效果。

主权项

1.一种具有静电释放保护二极管的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对半导体器件衬底的外延层的部分区域进行氧化，形成场氧化区域；S2、对所述场氧化区域进行刻蚀，使外延层在所述场氧化区域的上表面低于在非场氧化区域的上表面；S3、在所述非场氧化区域的外延层的上表面形成第一氧化层，并在所述第一氧化层与所述场氧化区域之上沉积多晶硅层；S4、刻蚀所述多晶硅，形成位于所述场氧化区域的静电释放多晶硅以及位于所述非场氧化区域的栅极多晶硅，并使所述静电释放多晶硅的上表面低于所述栅极多晶硅的上表面；S5、在经步骤S4生成的结构上表面沉积第二氧化层；S6、研磨所述第二氧化层，暴露出所述栅极多晶硅的上表面；S7、在经所述步骤S 6形成结构上表面沉积金属钛，并生成钛硅合金。