[发明专利]红外光电探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种红外探测器及其制造方法，该红外探测器包括衬底、下接触层、周期性的量子点量子阱混杂结构、上接触层、顶部环状电极及底部环状电极；其中，下接触层外延于衬底上；周期性的量子点量子阱混杂结构外延于下接触层上；上接触层外延于周期性的量子点量子阱混杂结构上；底部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而露出的下接触层的表面；顶部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而剩余的上接触层的表面。本发明的红外光电探测器能响应正入射光，并具有低暗电流、高响应率及探测率的优点。

主权项

一种红外探测器，其特征在于，该红外探测器包括：衬底(1)；下接触层(2)，外延于衬底(1)之上；周期性的量子点量子阱混杂结构(3)，外延于下接触层(2)之上，其中，所述周期性的量子点量子阱混杂结构(3)，在每个周期中至少包括多个势垒层、多个势阱层及多个量子点量子阱混杂层，其中，每个周期中的多个势垒层、多个势阱层以及多个量子点量子阱混杂层构成了相互耦合的啁啾超晶格结构；上接触层(4)，外延于周期性的量子点量子阱混杂结构(3)之上；底部环状电极(6)，形成于刻蚀上接触层(4)和周期性的量子点量子阱混杂结构(3)而露出的下接触层(2)的表面；顶部环状电极(5)，形成于刻蚀上接触层(4)和周期性的量子点量子阱混杂结构(3)而剩余的上接触层(4)的表面。