[发明专利]腔室及半导体加工设备有效
申请号: | 201510300669.7 | 申请日: | 2015-06-03 |
公开(公告)号: | CN106298585B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 史鑫 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种腔室及半导体加工设备。该腔室包括片盒承载装置、加热装置和真空大气切换装置,其中,片盒承载装置用于承载片盒;加热装置用于加热位于片盒内的基片,以对基片实现去气工艺;真空大气切换装置用于在向其内的片盒承载装置装卸载片盒时和在对基片进行去气工艺时实现腔室的环境在真空和大气之间切换。本发明提供的腔室,不仅可以省去机械手在片盒腔和去气腔室之间传输基片的过程,从而可以提高生产效率;而且应用该腔室的半导体加工设备还可以省去一个腔室设置,从而可以降低成本和减小占地面积。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种腔室,其特征在于,用于装卸载基片和对所述基片进行去气工艺,所述腔室,包括片盒承载装置、加热装置和真空大气切换装置,其中所述片盒承载装置,用于承载基片;所述加热装置,用于加热位于片盒内的基片,以对所述基片实现去气工艺;所述真空大气切换装置,用于在向所述片盒承载装置装卸载基片时和在对所述基片进行去气工艺时实现所述腔室的环境在真空和大气之间切换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造