[发明专利]一种硅片承载部件及降低高温退火片体金属含量的方法

摘要

本发明公开了一种用于硅片高温退火工艺的硅片承载部件以及采用该硅片承载部件降低高温退火片体金属含量的方法。该硅片承载部件在用于硅片高温退火工艺之前进行清洁处理和镀膜处理，其表面经二氯乙烯和氧气在高温下反应生成的盐酸气体清洗，并且在清洗洁净的表面上形成一氮化硅保护层。本发明的硅片承载部件主要应用于硅片高温退火工艺中，特别是1200℃退火工艺，能够显著降低退火硅片体金属的数值，提高产品的质量。利用本发明的硅片承载部件不仅能够明显的降低高温退火硅片体金属的含量，而且不需要拆装硅片承载部件，完全避免了盐酸的使用，安全可靠，降低了生成成本和安全成本。

主权项

1.一种用于硅片高温退火工艺的硅片承载部件，其特征在于，该硅片承载部件在用于硅片高温退火工艺之前进行清洁处理和镀膜处理，其表面经二氯乙烯和氧气在高温下反应生成的盐酸气体清洗，并且在清洗洁净的表面上形成一氮化硅保护层；所述清洁处理和镀膜处理包括以下步骤：/n(1)在氩气气氛下，于600-650℃将硅片承载部件升入炉管，温度稳定后，通入氧气进行氧化工艺，氧气的流量为氩气的50％；/n(2)升温至800-900℃，停止通入氩气，并以氩气为载气通入二氯乙烯，载气的流量为氧气流量的3％；/n(3)升温至1250℃，同时增加氧气的流量和载气氩气的流量，然后保温3-5小时，停止通入二氯乙烯，保持氧气流量1-2小时；/n(4)停止通入氧气，并通入氮气进行氮化工艺，持续3-5小时，然后将炉管温度降到600-650℃，冷却一段时间后将硅片承载部件从炉管降下。/n