[发明专利]一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510302257.7 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104900709B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 周雄图;彭玉颜;郭太良;张永爱;林志贤;叶芸;胡海龙;李福山;杨尊先 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法。所述高性能底栅型TFT器件结构包括基板，栅电极，栅电极绝缘层，具有图案化表面的半导体有源层，源电极，漏电极，所述图案化半导体有源层指采用压印、光刻、刻蚀、激光加工等方法，在半导体有源层的上表面全部或部分区域制作一些各向同性或各向异性形状的图案，使得半导体有源层上表面起伏图案。该结构TFT一方面增加源、漏极与半导体层的接触面积，另一方面减少载流子流动所需经过的低导电性区域厚度，既可以提高开启电流，又增大其开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 底栅型 tft 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能底栅型TFT器件结构，其特征在于：包括：一作为整个器件衬底的基板；一栅电极，设置于所述的基板的上方；一栅电极绝缘层，设置于所述的栅电极上方；一具有图案化表面的半导体有源层，设置于所述栅电极绝缘层上方，所述图案化表面指采用包括压印、光刻、刻蚀、激光加工的方法，在半导体有源层上表面的全部或部分区域制作各向同性或各向异性形状的图案，使得半导体有源层上表面形成起伏图案，起伏图案周期在10纳米到90微米之间，起伏高度在1纳米到9微米之间；一源电极，设置于所述具有图案化表面的半导体有源层表面；一漏电极，设置于所述具有图案化表面的半导体有源层表面，所述源电极与漏电极之间的间距为1纳米到9毫米之间；一层有源层保护层，设置于所述具有图案化表面的半导体有源层的上方，以使得所述具有图案化表面的半导体有源层不与空气直接接触。
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