[发明专利]平面型VDMOS的制作方法在审
| 申请号： | 201510303015.X | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN106298532A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 娄冬梅,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种平面型VDMOS的制作方法，该方法包括：在基底的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层，并通过光刻和刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀，形成体区窗口；在多晶硅层表面上的光刻胶的阻挡下，通过刻蚀工艺，对所述栅氧化层进行刻蚀，保留一层薄栅氧化层，去除光刻胶；完成体区离子的注入和驱入，形成位于所述栅氧化层下方的体区；定义源区，并通过源区离子的注入，形成源区，所述源区位于所述多晶硅层两侧边缘的下方，包含于所述体区；生长介质层，并在器件的表面上形成正面金属层；制作器件的背面金属层。本发明提供的平面型VDMOS的制作方法，能够避免在制作过程中对多晶硅造成损伤，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 制作方法 | ||
【主权项】：
一种平面型VDMOS的制作方法，其特征在于，包括：在基底的表面上依次生长栅氧化层和多晶硅层，并通过光刻和刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀，形成体区窗口；在多晶硅层表面上的光刻胶的阻挡下，通过刻蚀工艺，对所述栅氧化层进行刻蚀，保留一层薄栅氧化层，去除光刻胶；完成体区离子的注入和驱入，形成位于所述栅氧化层下方的体区；定义源区，并通过源区离子的注入，形成源区，所述源区位于所述多晶硅层两侧边缘的下方，包含于所述体区；生长介质层，并在器件的表面上形成正面金属层；制作器件的背面金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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