[发明专利]一种SOIMOSFET器件的建模方法有效
| 申请号： | 201510303560.9 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104951599B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SOI MOSFET器件的建模方法，包括：a)建立总体模型，该总体模型包括所述初级器件模型、模拟源体PN结的第一模型和模拟漏体PN结的第二模型；其中，所述初级器件模型中的器件为模拟源漏注入到底的SOI MOSFET；b)对初级器件模型进行参数提取；c)对第一、第二模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源漏注入不到底的SOI MOSFET器件中源体结以及漏体结电容对于器件性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对器件的仿真设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soimosfet 器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI MOSFET器件的建模方法，包括：a)建立总体模型，该总体模型包括初级器件模型、模拟源体PN结的第一模型和模拟漏体PN结的第二模型；其中，所述初级器件模型中的器件为模拟源漏注入到底的SOI MOSFET；b)对初级器件模型进行参数提取；c)对第一、第二模型分别进行参数提取；其中，所述初级器件模型为BSIMSOI模型，且通过BSIMSOI模型拟合PN结直流特性；第一、第二模型为SPICE中的PN结电容模型，且该模型中与直流相关的参数is，jsw，rs设置为0。
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