[发明专利]背照式影像感测器及其制作方法有效
申请号: | 201510304134.7 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN106298819B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 谢丞聿 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种背照式影像感测器及其制作方法,该背照式影像感测器包含有一基底、多个设置于该基底内的感光元件、多个用以隔离该多个感光元件的隔离结构、以及多个凸拱表面。该基底包含有一正面与一相对的背面,而该多个凸拱表面即形成于该基底的该背面,且该多个凸拱表面分别对应于一该感光元件。 | ||
搜索关键词: | 背照式 影像 感测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种背照式(back side illumination,BSI)影像感测器的制作方法,包含有:提供一基底,该基底包含有一正面与一相对的背面,且该基底内形成有多个隔离结构与多个感光元件(sensing element);在该基底背面暴露出该多个隔离结构;以及对该基底背面进行一热处理,以于该基底的背面形成多个凸拱(cambered)表面,且该多个凸拱表面分别对应于该多个感光元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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