[发明专利]一种制备硒化锡单晶纳米带的方法在审
| 申请号： | 201510304669.4 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104831362A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 简基康;郭靓;曹丙垒;雷仁博 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/64;C30B7/10 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 刘媖 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备硒化锡单晶纳米带的方法，是一种直接通过溶剂热制备硒化锡单晶纳米带的方法，属于半导体纳米材料技术领域；本方法是通过以下工艺过程实现的：在高压反应釜里，按摩尔比为1:1加入一定量的硒（Se）粉末和SnCl2 •2H2O，再加入有机溶剂乙醇胺溶液，将高压反应釜置在200℃温度下保持12~48小时，进行溶剂热反应，将反应产物用去离子水、无水乙醇清洗，真空干燥并收集最终产物，得到硒化锡单晶纳米带；用本发明制备的硒化锡单晶纳米带产物结晶性、分散性较好，对环境污染小，实验方法简单，易于操作、推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 硒化锡单晶 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硒化锡单晶纳米带的方法，其特征在于：包括如下步骤： 在高压反应釜里，按摩尔比为1:1加入硒Se粉、SnCl2•2H2O及有机溶剂，将高压反应釜置在200℃温度下保持12‑48小时，进行溶剂热反应；然后将反应产物用去离子水及无水乙醇清洗，真空干燥并收集最终产物。
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