[发明专利]基于Os衬底的外延结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510305662.4 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN106299068B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李宝吉;吴渊渊;陆书龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Os衬底的外延结构，其包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱。其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，并且所述Os衬底的晶体外延取向关系为AlN[11‑20]//Os[100]。本发明还公开了一种制作所述基于Os衬底的外延结构的方法。本发明提供的基于Os衬底的外延结构质量良好，特别是其中InGaN/GaN多量子阱的结晶质量好、光电性能好、缺陷少，且其制作方法简单易实施，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 os 衬底 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于Os衬底的外延结构，其特征在于：所述外延结构包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱；其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，所述Os衬底的晶体外延取向关系为AlN[11‑20]//Os[100]。
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