[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510305703.X | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN106298883B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 单奇;黄秀颀;蔡世星;张小宝;郭瑞;林立;高孝裕 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/786;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 杨晞 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括：上栅极(1)、下栅极(4)、上绝缘层(6)、下绝缘层(7)、半导体层(5)、源极(2)和漏极(3)；其中，所述下栅极(4)上方设有所述下绝缘层(7)；所述下绝缘层(7)上方设有所述半导体层(5)；所述半导体层(5)分别与所述源极(2)和漏极(3)搭接；所述半导体层(5)上方覆盖所述上绝缘层(6)；所述上绝缘层(6)上方设有上栅极(1)；其中，在与所述半导体层(5)中导电沟道平行的平面上，所述上栅极(1)的正投影与所述源极(2)的正投影之间存在第一间隙(8)，所述上栅极(1)的正投影与所述漏极(3)的正投影之间存在第二间隙(9)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：上栅极(1)、下栅极(4)、上绝缘层(6)、下绝缘层(7)、半导体层(5)、源极(2)和漏极(3)；其中，所述下栅极(4)上方设有所述下绝缘层(7)；所述下绝缘层(7)上方设有所述半导体层(5)；所述半导体层(5)分别与所述源极(2)和漏极(3)搭接；所述半导体层(5)上方覆盖有所述上绝缘层(6)；所述上绝缘层(6)上方设有上栅极(1)；其中，在与所述半导体层(5)中导电沟道平行的平面上，所述上栅极(1)的正投影与所述源极(2)的正投影存在第一间隙(8)，所述上栅极(1)的正投影与所述漏极(3)的正投影之间存在第二间隙(9)。
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