[发明专利]一种OLED器件有效

专利信息
申请号: 201510306438.7 申请日: 2015-06-04
公开(公告)号: CN106298952B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 蔡世星;单奇;张小宝;郭瑞;林立;高孝裕 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;G09G3/3233
代理公司: 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 代理人: 杨晞
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明实施例提供了一种OLED器件,解决了现有OLED器件的薄膜晶体管的上栅极和下栅极难以实现上下导电沟道同时导通的问题。该OLED器件包括:至少两个薄膜晶体管和Vdd电极;其中,至少两个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括:下栅极、设于所述下栅极上方的下绝缘层、设于所述下绝缘层上方的半导体层、设于所述半导体层上方的上绝缘层、设于所述上绝缘层上方的上栅极、源极和漏极;其中,所述半导体层分别与所述源极和漏极搭接;在与所述半导体层中导电沟道平行的平面上,所述上栅极的正投影与所述源极的正投影之间存在第一间隙,所述上栅极的正投影与所述漏极的正投影之间存在第二间隙;其中,所述至少一个薄膜晶体管的上栅极与所述Vdd电极连接。
搜索关键词: 一种 oled 器件
【主权项】:
一种OLED器件,其特征在于,包括:至少两个薄膜晶体管(1)和Vdd电极(2);其中,至少两个薄膜晶体管(1)中的至少一个薄膜晶体管(1)包括:下栅极(14)、设于所述下栅极(14)上方的下绝缘层(17)、设于所述下绝缘层(17)上方的半导体层(15)、设于所述半导体层(15)上方的上绝缘层(16)、设于所述上绝缘层(16)上方的上栅极(11)、源极(12)和漏极(13);其中,所述半导体层(15)分别与所述源极(12)和漏极(13)搭接;在与所述半导体层(15)中导电沟道平行的平面上,所述上栅极(11)的正投影与所述源极(12)的正投影之间存在第一间隙(18),所述上栅极(11)的正投影与所述漏极(13)的正投影之间存在第二间隙(19);其中,所述至少一个薄膜晶体管(1)的上栅极(11)与所述Vdd电极(2)连接。
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