[发明专利]肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510307050.9 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105322027B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 金勇晟 | 申请（专利权）人： | DBHiTek株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 胡艳 |
| 地址： | 韩国首尔*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 肖特基二极管包括在衬底的表面部分形成的第一导电型的漂移区，设置在衬底上并具有使漂移区的一部分暴露出来的开口的绝缘层，以及设置在漂移区由开口暴露出来的部分上的硅化钛层。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.肖特基二极管，包括：在衬底的表面部分形成的第一导电型的漂移区；设置在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有使所述漂移区的一部分暴露出来的开口；设置在所述漂移区由所述开口暴露出来的所述一部分上的硅化钛层；设置在所述硅化钛层和所述绝缘层上的连接焊盘；设置在所述连接焊盘上的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的金属布线；和在所述连接焊盘上形成的连接所述连接焊盘和所述金属布线的多个通孔触点，其中所述连接焊盘具有在其中心部分形成的凹部，并且所述通孔触点围绕所述连接焊盘的凹部设置。
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