[发明专利]相变自旋非易失存储单元有效
| 申请号： | 201510307513.1 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105304812B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李黄龙;张子阳;施路平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变自旋非易失存储单元，其包括磁固定层、间隔层、磁自由层、第一电极以及第二电极，所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述第一电极设置在所述磁固定层上，所述第二电极设置在所述磁自由层上，其中，所述间隔层的材料为相变材料或所述磁固定层和磁自由层的材料为稀释型磁性相变材料。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 自旋 非易失 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种相变自旋非易失存储单元，其特征在于，该相变自旋非易失存储单元包括第一磁固定层、第一间隔层、磁自由层、第二间隔层、第二磁固定层、第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极，所述第一磁固定层、第一间隔层、磁自由层、第二间隔层以及第二磁固定层依次层叠设置，所述第一电极设置在所述第一磁固定层上，所述第二电极设置在所述第二磁固定层上，所述第三电极和第四电极设置在所述磁自由层上且所述第三电极和第四电极间隔设置，其中，所述第一间隔层和第二间隔层的材料为相变材料，所述第一间隔层的材料为非晶态相变材料，所述第二间隔层的材料为晶态相变材料。
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