[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体元件的制造方法，其包括以下步骤：在基底上形成鳍状结构，相邻的鳍状结构问具有开口；形成导体材料层，覆盖鳍状结构并填满开口；图案化导体材料层及鳍状结构，以形成网状结构，该网状结构具有在第一方向延伸的第一条状物与在第二方向延伸的第二条状物，第一条状物与第二条状物交叉，且网状结构具有孔洞。第一条状物位于基底上且位于与鳍状结构对应的位置。第二条状物位于基底上且第二条状物中的导体材料层横跨鳍状结构。孔洞位于开口中，孔洞的周围环绕第一条状物与第二条状物，并且该些孔洞延伸至较该些鳍状结构的底部更靠近该基底的位置。基于此制造方法，本发明还提供了一种半导体元件。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：在一基底上形成多个鳍状结构，相邻的该些鳍状结构之间具有一开口；形成一导体材料层，以覆盖该些鳍状结构并填满该开口；以及图案化该导体材料层以及该些鳍状结构，以形成一网状结构，该网状结构具有在一第一方向延伸的多个第一条状物与在一第二方向延伸的多个第二条状物，该些第一条状物与该些第二条状物交叉，且该网状结构具有多个孔洞，其中：该些第一条状物位于该基底上且位于与该些鳍状结构对应的位置，该些第二条状物位于该基底上且该些第二条状物中的该导体材料层横跨该些鳍状结构，该些孔洞位于该开口中，且该些孔洞的周围环绕有该些第一条状物与该些第二条状物，并且该些孔洞延伸至较该些鳍状结构的底部更靠近该基底的位置；所述网状结构的每一孔洞的侧壁的高度超出第一条状物的高度的30％以上。