[发明专利]影像感测器及其制作方法有效
申请号: | 201510308445.0 | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN106298820B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 钟志平;彭志豪;何明佑 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种影像感测器及其制作方法。该影像感测器的制作方法为,提供基底,基底包括像素阵列区。在像素阵列区的基底中形成多个开口。在各开口周围的基底中形成导光区,其中导光区与开口之间配置有基底,导光区于基底中的深度大于其所环绕的开口于基底中的深度。在开口中形成隔离结构,以于像素阵列区中定义出分别位于两相邻隔离结构之间的多个像素区。在各像素区的基底中形成光感测区。在各像素区的基底上形成导线层。 | ||
搜索关键词: | 影像 感测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像感测器的制作方法,包括:提供一基底,该基底包括一像素阵列区;在该像素阵列区的该基底中形成多个开口;通过注入制作工艺在各该开口周围的该基底中形成一导光区,其中该导光区与该开口之间配置有该基底,各该导光区于该基底中的深度大于其所环绕的该开口于该基底中的深度;在该些开口中形成多个隔离结构,以于该像素阵列区中定义出分别位于两相邻隔离结构之间的多个像素区;在各该像素区的该基底中形成一光感测区;以及在各该像素区的该基底上形成一导线层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶积成电子制造股份有限公司,未经力晶积成电子制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510308445.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的