[发明专利]影像感测器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510308445.0 申请日: 2015-06-08
公开(公告)号: CN106298820B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 钟志平;彭志豪;何明佑 申请(专利权)人: 力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种影像感测器及其制作方法。该影像感测器的制作方法为,提供基底,基底包括像素阵列区。在像素阵列区的基底中形成多个开口。在各开口周围的基底中形成导光区,其中导光区与开口之间配置有基底,导光区于基底中的深度大于其所环绕的开口于基底中的深度。在开口中形成隔离结构,以于像素阵列区中定义出分别位于两相邻隔离结构之间的多个像素区。在各像素区的基底中形成光感测区。在各像素区的基底上形成导线层。
搜索关键词: 影像 感测器 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种影像感测器的制作方法,包括:提供一基底,该基底包括一像素阵列区;在该像素阵列区的该基底中形成多个开口;通过注入制作工艺在各该开口周围的该基底中形成一导光区,其中该导光区与该开口之间配置有该基底,各该导光区于该基底中的深度大于其所环绕的该开口于该基底中的深度;在该些开口中形成多个隔离结构,以于该像素阵列区中定义出分别位于两相邻隔离结构之间的多个像素区;在各该像素区的该基底中形成一光感测区;以及在各该像素区的该基底上形成一导线层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶积成电子制造股份有限公司,未经力晶积成电子制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510308445.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top