[发明专利]一种利用离子注入结合化学刻蚀制备KTiOPO4单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201510308632.9 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105002471B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 卢霏;马长东;许波;范冉冉 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司37221 | 代理人： | 崔苗苗 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种利用离子注入结合化学刻蚀制备KTiOPO4单晶薄膜的方法法。将低能量范围(100～6000keV)的H或He离子注入到晶体样品中，注入离子剂量范围是1×1016～10×1016离子/平方厘米，注入温度是室温或低温。然后将样品进行退火处理，退火温度范围为200℃到600℃，退火总时长10秒～2小时。将样品用化学试剂刻蚀，实现晶体薄膜剥离。采用本发明中的方法，我们将2000keV能量，4×1016剂量的He离子在室温条件下注入到Z切向的KTP样品后，退火处理后再放入HF溶液中刻蚀实现了薄膜剥离。利用本发明中的方法我们已经获得了厚度为5微米的磷酸钛氧钾(KOTiPO4)晶体薄膜，这是至今首次利用离子注入结合化学刻蚀方法得到的KTP单晶薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离子 注入 结合 化学 刻蚀 制备 ktiopo sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用离子注入结合化学刻蚀制备KTiOPO4单晶薄膜的方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)提供光学晶体样品；(2)对光学晶体样品进行离子注入，形成晶体损伤层，其中注入离子能量范围是500keV～6000keV，离子的注入剂量大于1×1016离子/平方厘米；(3)将注入后的样品表面涂覆苯并环丁烯树脂保护或者与衬底绑定，再进行退火处理；(4)将退火处理后的样品进行抛光处理；(5)将抛光处理后的样品用化学药剂进行选择性刻蚀，剥离出晶体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510308632.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
