[发明专利]硅PIN探测器及用于其的电荷灵敏放大装置在审

专利信息
申请号: 201510308901.1 申请日: 2015-06-05
公开(公告)号: CN104897708A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 邓启华 申请(专利权)人: 深圳市西凡谨顿科技有限公司
主分类号: G01N23/223 分类号: G01N23/223;G01T1/24;H03F3/70
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种硅PIN探测器及用于该硅PIN探测器的电荷灵敏放大装置。该硅PIN探测器包括:铍片,用于给探测器的内部提供密封真空环境,以使原子序数在铍之后的元素射线光子可以自由通过;光电探测器,用于收集从铍片透过来的光子,并产生电荷;JFET,其栅极上集成一个电容,光电探测器产生的电荷对此电容充电,以产生一个电压,从而使JFET的漏极同步产生几倍于栅极的电压变化;温度传感器,用于实时监控探测器的内部温度;两级电热半导体制冷器,用于对光电探测器、JFET和温度传感器提供低温环境;多个3U沉金接触脚位,分别通过金线与光电探测器、JFET、两级电热半导体制冷器、和温度传感器连接。本发明结构简单、成本低、体积小、无需液氮制冷。
搜索关键词: pin 探测器 用于 电荷 灵敏 放大 装置
【主权项】:
一种硅PIN探测器,其特征在于,包括:铍片(1),用于给所述探测器的内部提供密封真空环境,以使原子序数在铍之后的元素射线光子可以自由通过;光电探测器(3),用于收集从所述铍片(1)透过来的光子,并产生电荷;JFET(4),其栅极上集成一个电容,所述光电探测器(3)产生的电荷对此电容充电,以产生一个电压,从而使所述JFET(4)的漏极同步产生一个几倍于所述JFET(4)的栅极的电压变化;温度传感器(5),用于实时监控所述探测器的内部温度;两级电热半导体制冷器(6),用于对所述光电探测器(3)、所述JFET(4)和所述温度传感器(5)提供低温环境;多个3U沉金接触脚位(16),分别通过金线(17)与所述光电探测器(3)、所述JFET(4)、所述两级电热半导体制冷器(6)、和所述温度传感器(5)连接。
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