[发明专利]一种CH3NH3PbI3薄膜太阳能电池制备方法

摘要

本发明涉及的是一种CH₃NH₃PbI₃薄膜及其太阳能电池的制备方法，属于新型材料器件制造工艺领域。其中CH₃NH₃PbI₃薄膜制备方法是：用基于(CH₃COO)₂Pb的CH₃NH₃PbI₃溶液做单一蒸发源，采用小于1秒的时间将金属蒸发舟迅速加热至1000℃以上的温度，可制备出成份准确的CH₃NH₃PbI₃薄膜。采用单源反应闪蒸法制备的CH₃NH₃PbI₃薄膜具有反应速率快、蒸发速率快，薄膜无空洞，寿命长，适合做平面型器件的特点。并采用TiO₂或ZnO为n型材料，Spiro-OMeTAD为p型材料与i型的CH₃NH₃PbI₃薄膜一起构成p-i-n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率为8.85%的器件。

主权项

一种CH₃NH₃PbI₃薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）、使用合适的材料作为衬底，预处理后，在所述的衬底上沉积n型材料，然后放入真空蒸发设备的样品台上；（2）、把CH₃NH₃I和(CH₃COO)₂Pb粉末按照一定比例溶解于有机溶剂中，制备成基于(CH₃COO)₂Pb的CH₃NH₃PbI₃溶液；（3）、将步骤（2）中基于(CH₃COO)₂Pb的CH₃NH₃PbI₃溶液均匀的平铺于经过预处理后的金属蒸发舟上；（4）、在腔体气压低于5x10^‑3 Pa或惰性气体的条件下，通过单源反应闪蒸法蒸镀CH₃NH₃PbI₃薄膜；（5）、将蒸镀完成的薄膜进行后期退火处理；（6）、在制备好的CH₃NH₃PbI₃薄膜材料上旋涂空穴传输层；（7）、蒸镀电极，获得CH₃NH₃PbI₃薄膜太阳能电池。