[发明专利]颗粒物缺陷的监控方法在审
申请号: | 201510309136.5 | 申请日: | 2015-06-07 |
公开(公告)号: | CN104882394A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 国子明;郭国超;张凌越;李楠 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 在本发明提供的颗粒物缺陷的监控方法中,通过在光片上形成光阻以检出颗粒物造成的表面刮伤,使得颗粒物缺陷的监控更加全面,而且根据颗粒物缺陷的数据统计,直接在工艺设备中设置颗粒物缺陷的监控范围,降低了由颗粒物缺陷引起的产品不良风险,所述监控方法非常简单有效,能够提高成品率。 | ||
搜索关键词: | 颗粒 缺陷 监控 方法 | ||
【主权项】:
一种颗粒物缺陷的监控方法,其特征在于,包括:提供一光片;在所述光片上涂布光阻,以形成监控晶片;对所述监控晶片进行第一次颗粒物检测,以获取第一数据;根据所述第一数据判断所述监控晶片可否符合使用要求;将符合使用要求的监控晶片放入一工艺设备中并仿真工艺状态;对仿真工艺状态后的监控晶片进行第二次颗粒物检测,以获取第二数据;将所述第一数据与第二数据进行比对,以获得所述工艺设备的颗粒物缺陷的数据;以及对所述工艺设备的颗粒物缺陷的数据进行统计,并根据统计结果在所述工艺设备中设置所述颗粒物缺陷的监控范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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