[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201510309195.2 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104900711B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王美丽 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板、显示装置所述薄膜晶体管包括：有源层；设置在所述有源层之上和/或设置在所述有源层之下的光保护层，所述光保护层用于吸收波长小于预设波长的光波。根据本发明的技术方案，通过在有源层上方设置光保护层，能够吸收从薄膜晶体管上方射入沟道区的光线，通过在有源层下方设置光保护层，能够吸收从薄膜晶体管下方射入沟道区的光线，从而有效避免光线对沟道区的有源层造成影响，保证薄膜晶体管中的驱动晶体管具有较强的光稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 以及 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，所述有源层的材料为氧化物半导体；设置在所述有源层之上和/或设置在所述有源层之下的光保护层，其中，所述光保护层用于吸收波长小于953nm的光波；所述光保护层的材料为锌基氮氧化物，禁带宽度为1.3eV，且透过率低于70％。
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