[发明专利]降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法有效
| 申请号： | 201510309494.6 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104900689B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张连;张韵;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/10;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。本发明通过特殊的结构设计，使基区电阻率大大降低，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 电阻率 gan hbt 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，沿着极化电场的方向进行预定方向的渐变使材料内产生均匀分布的净极化正电荷，并因此产生非平衡极化电场，该非平衡极化电场能电离杂质、缺陷受主原子，产生可自由移动的空穴，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。
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