[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明提供了半导体器件的制造方法和半导体器件，方法包括：对依次生长有第一P型外延层、第二P型外延层和第一氧化层的衬底进行光刻、刻蚀处理，形成第一沟槽；通过第一沟槽的侧壁对第一P型外延层注入掺杂离子，使掺杂离子的注入区反型；在形成有第一沟槽的衬底表面淀积氧化物，将第一沟槽填满，形成第二氧化层，完成对第二氧化层的刻蚀处理；在完成对第二氧化层的刻蚀处理的衬底上制作栅极氧化层，完成对形成有栅极氧化物的衬底的填充、刻蚀处理，形成目标衬底结构，并在其上依次生长源区、介质层和金属层，完成半导体器件的制造。通过本发明的技术方案，有效地避免在N型区表面产生附加电荷，提高击穿电压，降低导通电阻以及器件的制作难度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：对依次生长有第一P型外延层、第二P型外延层和第一氧化层的衬底进行光刻、刻蚀处理，以形成通过所述第一P型外延层、所述第二P型外延层和所述第一氧化层的第一沟槽；通过所述第一沟槽的侧壁对所述第一P型外延层注入掺杂离子，以使所述掺杂离子的注入区反型；在形成有所述第一沟槽的所述衬底表面淀积氧化物，将所述第一沟槽填满，以形成第二氧化层，并完成对所述第二氧化层的刻蚀处理；在完成对所述第二氧化层的刻蚀处理的所述衬底上制作栅极氧化层，并完成对形成有所述栅极氧化物的所述衬底的填充、刻蚀处理，以形成目标衬底结构，并在所述目标衬底结构上依次生长源区、介质层和金属层，以完成所述半导体器件的制造。