[发明专利]形成源极/漏极接触件的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极结构。该栅极结构包括第一硬掩模层。该方法还包括在邻近栅极结构的衬底中形成源极/漏极(S/D)部件，且沿着栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件。侧壁间隔件的外边缘在其上部背朝栅极结构。该方法还包括沿着栅极结构的侧壁和沿着侧壁间隔件的外边缘形成第二间隔件、在栅极结构上方形成介电层、形成延伸穿过介电层以暴露出源极/漏极部件的沟槽，同时第一硬掩模层和具有第二间隔件的侧壁间隔件保护栅极结构。该方法还包括在沟槽中形成接触部件。本发明还提供了一种半导体器件。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一栅极结构，第二栅极结构和第三栅极结构，其中，所述第二栅极结构设置在所述第一栅极结构和所述第三栅极结构之间，所述第一栅极结构，所述第二栅极结构和所述第三栅极结构均包括第一硬掩模层；在邻近所述第一栅极结构的衬底中形成位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的第一源极/漏极(S/D)部件和位于所述第二栅极结构和所述第三栅极结构之间的第二源极/漏极部件；沿着所述第一栅极结构，所述第二栅极结构和所述第三栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件，其中，所述侧壁间隔件的外边缘在其上部处背朝所述第一栅极结构，所述第二栅极结构和所述第三栅极结构的相应一个；在所述第一栅极结构，所述第二栅极结构和所述第三栅极结构的上方形成第一介电层；对所述第一介电层进行开槽以暴露出所述侧壁间隔件的所述外边缘；沿着所述第一栅极结构，所述第二栅极结构和所述第三栅极结构的侧壁和沿着所述侧壁间隔件的所述外边缘形成第二间隔件；在所述第一栅极结构，所述第二栅极结构和所述第三栅极结构的上方形成第二介电层；形成延伸穿过所述第一介电层和所述第二介电层以暴露出所述第二栅极结构，所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件以及所述第一栅极结构和所述第三栅极结构的所述第一硬掩模层的部分的沟槽，同时所述第一栅极结构，所述第二栅极结构和所述第三栅极结构受所述第一硬掩模层和具有所述第二间隔件的所述侧壁间隔件的保护；以及在所述沟槽中形成接触部件。