[发明专利]一种用于多晶硅中痕量杂质分析的前处理装置

摘要

本发明涉及一种用于多晶硅中痕量杂质分析的前处理装置，包括置于加热板上且设有密封外罩的样品瓶。密封外罩的顶部设有混合气体出口，其下部设有水平布置的环形氮气吹扫管线；环形氮气吹扫管线上设有氮气接口Ⅱ，该氮气接口Ⅱ连有带氮气加热器开关的氮气加热装置；氮气加热装置连有干燥器的出气口Ⅰ，该干燥器的进气口Ⅰ连有金属离子过滤器的出气口Ⅱ；金属离子过滤器的进气口Ⅱ经尘埃过滤器连有氮气管路；混合气体出口连有气体缓冲器的进气口Ⅲ，该气体缓冲器的出气口Ⅲ连有吸收塔；吸收塔的顶部设有连自来水进口的喷淋头，其下部一侧设有废液出口。本发明操作方便、重现性好，实现了多晶硅中痕量元素的快速、准确分析。

主权项

1.一种用于多晶硅中痕量杂质分析的前处理装置，包括置于加热板（22）上且设有密封外罩（10）的样品瓶（9），其特征在于：所述密封外罩（10）的顶部设有混合气体出口（20），其下部设有水平布置的环形氮气吹扫管线（17）；所述环形氮气吹扫管线（17）上设有氮气接口Ⅱ（18），该氮气接口Ⅱ（18）通过管线Ⅰ连有带氮气加热器开关（21）的氮气加热装置（8）；所述氮气加热装置（8）通过管线Ⅱ连有干燥器（5）的出气口Ⅰ，该干燥器（5）的进气口Ⅰ连有金属离子过滤器（4）的出气口Ⅱ；所述金属离子过滤器（4）的进气口Ⅱ经尘埃过滤器（3）连有氮气管路（1）；所述混合气体出口（20）通过管线Ⅲ连有气体缓冲器（12）的进气口Ⅲ，该气体缓冲器（12）的出气口Ⅲ连有吸收塔（13）；所述吸收塔（13）的顶部设有连自来水进口（14）的喷淋头（15），其下部一侧设有废液出口（16）；所述密封外罩（10）通过固定螺栓（19）与所述环形氮气吹扫管线（17）相连，该环形氮气吹扫管线（17）上均匀分布孔径大小和方向一致的气体出口；所述氮气加热装置（8）包括内壁设有导线的主体陶瓷管（81）；所述主体陶瓷管（81）外壁设有加热丝正负导线接口（82），其上下两端分别设有带氮气接口Ⅰ（84）的密闭罩（83）；所述加热丝正负导线接口（82）分别与所述氮气加热器开关（21）相连；所述密闭罩（83）下端的所述氮气接口Ⅰ（84）通过所述管线Ⅰ与所述氮气接口Ⅱ（18）相通；所述密闭罩（83）上端的所述氮气接口Ⅰ（84）通过所述管线Ⅱ依次经所述干燥器（5）、所述金属离子过滤器（4）、所述尘埃过滤器（3）连有所述氮气管路（1）。