[发明专利]低电阻高膨胀半导电单面阻水带制造方法

摘要

低电阻高膨胀半导单面阻水带制造方法，涉及一种阻水带制造方法，低电阻高膨胀半导电单面阻水带，由基材层、半导电材料层和半导电吸水材料层组成。低电阻高膨胀半导电单面阻水带的制造方法包括，制作基材，在基材上施半导电胶液和半导电阻水粉、烘干、分切、包装。本发明制备的产品膨胀速度快，电性能好，且生产工艺简单，技术性能稳定，实用性强。适用于电缆使用，提高绝缘层、内外屏蔽层的防水渗入，阻水效果理想。

主权项

低电阻高膨胀半导电单面阻水带的制造方法：其特征在于，所述方法包括下列工艺步骤：（1）基材的制作，按产品的规格要求制成符合要求的基材；（2）施半导电胶；半导电胶液施于待加工基材的一面上，线速10‑30米/min；（3）施半导电阻水粉；半导电阻水粉自制，在三口瓶中先后加入氢氧化钠、丙烯酸经中和反应生成丙烯酸盐；加入由分散剂壬基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、失水山梨村脂肪酸酯S‑40和导电剂炉黑组成的导电性浆料；加入交联剂聚乙二醇二丙烯酸酯、N，N‑亚甲基双丙烯酰胺，通氮气30min，置换出反应器内部氧气，再加入引发剂过硫酸钠、亚硫酸氢钠静态聚合后得到水凝胶；经烘干、粉碎、筛分得半导电高阻水粉；所得半导电阻水粉施于上述步骤（2）所制得产品的一面上，线速10‑30米/min；（4）烘干；将上述步骤（3）所制得产品在120‑200℃下烘干，整理得低电阻高膨胀半导电单面阻水带。