[发明专利]形成具有栅极环绕沟道配置的纳米线装置的方法以及纳米线装置有效
| 申请号： | 201510312395.3 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN105280709B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | B·J·帕夫拉克 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/775;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及形成具有栅极环绕沟道配置的纳米线装置的方法以及纳米线装置。一种示例方法包括围绕鳍片形成至少一个外延半导体覆盖材料层并图案化该覆盖材料以及该鳍片，从而导致该图案化鳍片位于该图案化覆盖材料下，其中，该图案化覆盖材料具有上部以及自该上部向下延伸的多个基本垂直取向的支腿。该方法还包括相对该图案化覆盖材料选择性移除该图案化鳍片，环绕该覆盖材料的至少部分形成牺牲栅极结构，在各该基本垂直取向的支腿上形成外延半导体源/漏区，以及围绕该覆盖材料的至少部分形成最终栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 栅极 环绕 沟道 配置 纳米 线装 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成鳍片；执行至少一个第一外延沉积制程，以围绕该鳍片的暴露部分形成至少一个外延半导体覆盖材料层；执行至少一个蚀刻制程，以图案化该至少一个覆盖材料层以及该鳍片，从而导致该鳍片的图案化部分位于该图案化的该至少一个覆盖材料层下，该图案化的至少一个覆盖材料层具有上部以及自该上部向下延伸的多个垂直取向的支腿；执行至少一个蚀刻制程，以相对该图案化的至少一个覆盖材料层选择性移除该图案化鳍片，从而在该图案化的至少一个覆盖材料层下形成开口；环绕该至少一个覆盖材料层的该上部的至少部分形成牺牲栅极结构；伴随该牺牲栅极结构就位，执行第二外延沉积制程，以在各该垂直取向的支腿上形成外延半导体源/漏区；移除该牺牲栅极结构；以及环绕该至少一个覆盖材料层的该上部的至少部分形成最终栅极结构。
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