[发明专利]掩模版和光刻方法有效
| 申请号： | 201510312558.8 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104865789A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 王冠亚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩模版，在掩模版衬底上具有掩模图形、对准标记、辅助图形，其中，所述辅助图形为二维码。依照本发明的掩模版及其光刻方法，通过在掩模版边缘部分形成快速、简便、低成本的辅助图形解决了掩模版图形信息记录不全，版面图形凌乱等问题，通过设定的辅助图形可以降低工艺开发的难度，减少工艺开发的费用。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种掩模版，在掩模版衬底上具有掩模图形、对准标记、辅助图形，其中，所述辅助图形为二维码。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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