[发明专利]半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体硅基底的表面上依次形成了栅氧化层、低阻化多晶硅层和氮化硅层之后，对栅氧化层、低阻化多晶硅层和氮化硅层进行光刻和刻蚀，形成半导体器件的栅极；再形成半导体器件的体区、漂移区、源区、漏区以及P+区；形成薄氧化层，去除氮化硅层之后，利用氢氟酸溶液，去除低阻化多晶硅层表面上形成的第一自然氧化层，再在低阻化多晶硅层的表面上形成金属硅化物层。实现了去除了低阻化多晶硅层表面由于暴露在空气中而形成的自然氧化层，防止自然氧化层阻挡金属与多晶硅反应，可以制得合适厚度的金属硅化物层，有效的降低了半导体器件的栅极的电阻。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：在半导体硅基底的表面上形成栅氧化层后，在所述栅氧化层的表面上形成低阻化多晶硅层；在所述低阻化多晶硅层的表面上沉积氮化硅，形成氮化硅层；对所述栅氧化层、所述低阻化多晶硅层和所述氮化硅层进行光刻和刻蚀，形成所述半导体器件的栅极，所述栅极为刻蚀后的低阻化多晶硅层；形成所述半导体器件的体区、漂移区、源区、漏区以及P+区；在所述硅基底的表面和所述低阻化多晶硅层的侧面上形成薄氧化层；采用热磷酸溶液，去除所述氮化硅层；利用氢氟酸溶液，去除所述低阻化多晶硅层表面上形成的第一自然氧化层；在所述低阻化多晶硅层的表面上形成金属硅化物层；其中，所述在所述硅基底的表面和所述低阻化多晶硅层的侧面上形成薄氧化层，包括：对所述硅基底进行热氧化处理，在所述硅基底的表面、所述低阻化多晶硅层的侧面、以及所述氮化硅层的表面上形成薄氧化层；所述硅基底的表面、所述低阻化多晶硅层的侧面形成的薄氧化层的厚度大于所述氮化硅层的表面上形成薄氧化层的厚度；去除所述氮化硅层表面上的薄氧化层。