[发明专利]包括多重缓冲层的太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基底；形成在基底上的背电极层；形成在背电极层上的光吸收层；包括通过原子层沉积(ALD)形成在光吸收层上的无氧的第一缓冲层和通过原子层沉积(ALD)形成在第一缓冲层上的第二缓冲层的缓冲层；以及形成在缓冲层上的前电极层。

主权项

1.一种太阳能电池，其包括：基底；背电极层，其形成在所述基底的上方；光吸收层，其形成在所述背电极层的上方；缓冲层，其包括形成在所述光吸收层上方的第一缓冲层和形成在所述第一缓冲层上方的第二缓冲层；以及前电极层，其形成在所述缓冲层的上方，其中，所述第一缓冲层是无氧层，其中，当测量时，相对于包含在所述缓冲层中的总的原子，所述缓冲层包括0.5原子％‑2原子％的Na，其中，包含在所述缓冲层中的Na含量根据位置而不同且在所述光吸收层和所述缓冲层之间的交界面最高，所述光吸收层包括选自CuInS₂(CIS)、CuGaS₂(CGS)、CuInSe₂(CISe)、CuGaSe₂(CGSe)、CuAlSe₂(CASe)、CuInTe₂(CITe)、CuGaTe₂(CGTe)、Cu(In,Ga)S₂(CIGS)、Cu(In,Ga)Se₂(CIGSe)、Cu₂ZnSnS₄(CZTS)、CdTe中的一个以上的硫族化合物，所述光吸收层是通过沉积硫族化合物并且使用H₂Se或H₂S气体进行热处理来形成，所述光吸收层表面是通过将所述光吸收层表面浸渍到选自H₂S、H₂Se、H₂Te中的一个以上的化合物中来进行预处理。