[发明专利]位置检测装置有效

专利信息
申请号: 201510313681.1 申请日: 2015-06-09
公开(公告)号: CN105277108B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 久须美雅昭;武井祐介;石本茂 申请(专利权)人: 德马吉森精机株式会社
主分类号: G01B7/00 分类号: G01B7/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种位置检测装置。使用如TMR元件那样的磁阻效应元件进行精度高的位置检测。具备至少两个磁检测元件(21‑1、21‑2),该磁检测元件检测来自磁记录了磁信号而得到的标尺(11)的漏磁,输出检测出漏磁的位置的记录信号。至少两个磁检测元件(21‑1、21‑2)沿与扫描标尺(11)的方向(x)正交的方向(y)并列配置,并且配置在距标尺(11)的磁信号记录面的距离大致相等的位置。
搜索关键词: 位置 检测 装置
【主权项】:
1.一种位置检测装置,具备:在磁性介质上磁记录了磁信号而得到的标尺;至少一对磁检测元件,该至少一对磁检测元件以能够扫描上述标尺的磁信号记录面的方式配置,检测来自上述标尺的漏磁;以及位置检测部,其根据从上述至少一对磁检测元件中的各对磁检测元件的连接点输出的信号,检测相对于上述标尺的位置;其中,作为上述至少一对磁检测元件中的各对磁检测元件而使用磁阻效应元件,相对于施加于磁阻效应元件的磁,一方的磁阻效应元件的电阻值增加时,另一方的磁阻效应元件的电阻值减少,并且,该至少一对磁检测元件中的各对磁检测元件沿与扫描上述标尺的方向正交的方向并列配置,并配置于距上述标尺的磁信号记录面的距离大致相等的位置;上述至少一对磁检测元件分别包括具有夹持着势垒层的第一磁性层和第二磁性层的元件,上述第一磁性层的磁化方向设为被固定为与进行位置检测的方向平行或反向平行的状态,上述第二磁性层的磁化方向将被来自上述标尺的漏磁决定为与所述进行位置检测的方向平行或反向平行,该至少一对磁检测元件中的各对磁检测元件中包括上述第一磁性层的磁化方向设定为平行或反向平行的第一方向的磁检测元件和上述第一磁性层的磁化方向设定为与上述第一方向相反的平行或反向平行的第二方向的磁检测元件;以及上述至少一对磁检测元件分别具有偏置磁场产生部,该偏置磁场产生部对上述第二磁性层施加具有与所述进行位置检测的方向正交的磁化方向的偏置磁场,在没有来自上述标尺的漏磁的状态下将上述第二磁性层的磁化方向设为与上述第一磁性层的上述磁化方向不同的方向,并且在没有来自上述标尺的漏磁的状态下使上述至少一对磁检测元件中的各磁检测元件的电阻值成为其最小电阻值与最大电阻值的中间附近的电阻值。
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