[发明专利]蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置有效
| 申请号： | 201510313924.1 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN105280474B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 近藤昌树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。该蚀刻处理方法使用了斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从上述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序：在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射规定时间；利用上述功率计来测量激光的输出值；判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 方法 以及 斜角 装置 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻处理方法，使用斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器、测量从所述激光发生器输出的激光的功率计、以及与上述激光发生器相连接并用于照射从上述激光发生器输出的激光的激光照射头，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序：将上述激光照射头移动至激光照射不到上述基板的位置；在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射2秒～10秒；利用上述功率计来测量激光的输出值；判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内；以及在判定为进行上述测量得到的激光的输出值处于上述规定阈值的范围内时，将上述激光照射头移动至激光能够照射到上述基板的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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