[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构在审
| 申请号： | 201510314265.3 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104992899A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张良芬;连水池;罗长诚;吴元均;徐源竣;郭海成;王文;陈荣盛;周玮;张猛 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构。该多晶硅薄膜的制备方法包括：步骤1、提供一基片(1)，在所述基片(1)上形成一层多晶硅薄膜(3)，该多晶硅薄膜(3)的厚度符合制造半导体器件所要求的厚度；步骤2、对所述多晶硅薄膜(3)进行硅离子自注入，且硅离子的注入剂量低于使多晶硅非晶化的计量限度。该多晶硅薄膜的制备方法使注入的硅离子形成间隙硅，并移动到多晶硅晶界处，能够减少多晶硅的晶界缺陷密度，改善多晶硅薄膜的质量。本发明提供的一种多晶硅TFT结构，其岛状半导体层由经过低剂量硅离子自注入的多晶硅薄膜制成，能够降低开启状态下的晶界势垒，增大载流子迁移率，增大开态电流，减小阈值电压，改善TFT特性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 tft 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基片(1)，在所述基片(1)上形成一层多晶硅薄膜(3)，该多晶硅薄膜(3)的厚度符合制造半导体器件所要求的厚度；步骤2、对所述多晶硅薄膜(3)进行硅离子自注入，且硅离子的注入剂量低于使多晶硅非晶化的计量限度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
