[发明专利]一种降低MTM反熔丝介质漏电流的工艺方法

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，尤其是一种MTM反熔丝制作方法。包括以下步骤：A，在硅衬底与完成的器件层上依次进行金属间介质层淀积和下层金属层淀积；B，进行第一阻挡层淀积；C，进行反熔丝介质层淀积；D，对反熔丝介质层进行SSE工艺处理，提高反熔丝介质层的非晶化程度；E，进行第二阻挡层淀积；F，进行MTM反熔丝光刻和腐蚀工艺，形成MTM反熔丝结构的上极板部分；G，对下层金属层进行光刻和腐蚀工艺，形成MTM反熔丝下极板部分；H，进行第二金属间介质层淀积和上层金属层淀积，并对上层金属层进行光刻和腐蚀后，形成MTM反熔丝完整结构。本发明能够大幅改善反熔丝非晶化程度，提高反熔丝介质层的击穿一致性。

主权项

一种降低MTM反熔丝介质漏电流的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：A，在硅衬底与完成的器件层（1）上依次进行第一金属前介质层（2）淀积和下层金属层（3）淀积；B，在下层金属层（3）上进行第一阻挡层（4）淀积，所述第一阻挡层（4）为惰性金属，用于防止后面淀积的反熔丝介质层（5）与下层金属层（3）发生反应，造成失效；C，采用磁控溅射工艺方法在第一阻挡层（4）上进行反熔丝介质层（5）淀积，这层材料作为MTM反熔丝的介质材料；D，对反熔丝介质层（5）进行氧离子处理工艺，形成二氧化硅层（8）；E，进行第二阻挡层（6）淀积，所述第二阻挡层（6）为惰性金属，用于防止淀积的反熔丝介质层（5）与上层金属层（9）发生反应，造成失效；F，进行MTM反熔丝光刻和腐蚀工艺，将部分二氧化硅层（8）和反熔丝介质层（5）腐蚀掉，形成MTM反熔丝结构的上极板部分，刻蚀停止在第一阻挡层（4）上；G，对下层金属层（3）进行光刻和腐蚀工艺，形成MTM反熔丝下极板部分，刻蚀停止在第一金属前介质层（2）上；H，进行第二金属间介质层（7）淀积，再对其光刻和腐蚀工艺，形成通孔结构；最后进行上层金属层（9）淀积，并对上层金属层（9）进行光刻和腐蚀后，形成MTM反熔丝完整结构。