[发明专利]改善半导体器件接触孔形貌的方法

摘要

本发明公开了一种改善半导体器件接触孔形貌的方法，包括步骤步骤一、依次形成一层USG层和一层BPSG层组成层间膜；步骤二、采用光刻工艺定义出接触孔窗口；步骤三、进行湿法腐蚀形成接触孔的顶部区域；步骤四、进行干法刻蚀形成接触孔的底部区域；步骤五、进行BPSG层的退火回流。本发明能使接触孔形貌圆滑，消除尖峰结构，提高器件的可靠性。

主权项

一种改善半导体器件接触孔形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在需要形成接触孔的半导体衬底表面依次形成一层USG层和一层BPSG层，由所述USG层和所述BPSG层叠加形成层间膜，在对所述BPSG层进行退火回流前进行如下步骤二至步骤四；步骤二、采用光刻工艺形成第一光刻胶图形定义出接触孔窗口；步骤三、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述层间膜进行湿法腐蚀形成接触孔的顶部区域，所述湿法腐蚀的深度小于所述BPSG层的厚度，所述湿法腐蚀的宽度大于所述接触孔窗口的宽度；步骤四、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述湿法腐蚀后的所述层间膜进行干法刻蚀形成所述接触孔的底部区域，所述干法刻蚀将所述湿法腐蚀后所述接触孔窗口区域内剩余的所述层间膜全部去除，所述干法刻蚀的宽度等于所述接触孔窗口宽度；由所述底部区域和所述顶部区域叠加形成一个底部宽度等于所述接触孔窗口宽度、顶部宽度大于所述接触孔窗口宽度的接触孔；步骤五、去除所述第一光刻胶图形并进行所述BPSG层的退火回流，通过所述BPSG层的退火回流使所述接触孔的顶部区域形成一圆滑结构且消除所述顶部区域和所述底部区域的接触位置处的尖峰。