[发明专利]用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底以及生长方法有效
| 申请号： | 201510315457.6 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105047695B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;张峰;王文宇 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/201;H01L29/207;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底及其生长方法。所述衬底包括支撑衬底和支撑衬底表面的高阻层，所述高阻层材料为氮化物，其特征在于，所述高阻层中包含由多个掺杂层和多个非掺杂层交替设置的周期性结构，所述掺杂层的材料为含有深能级掺杂元素的氮化物。本发明的优点在于在保证深能级掺杂浓度导致高阻特性同时，也能很好地保证外延层优良的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 高阻层 高电子迁移率晶体管 掺杂层 氮化物 深能级 高阻 周期性结构 掺杂元素 衬底表面 非掺杂层 高阻特性 交替设置 外延层 生长 支撑 掺杂 保证 | ||
【主权项】：
1.一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底，包括支撑衬底和支撑衬底表面的高阻层，所述高阻层材料为氮化物，其特征在于，所述高阻层中包含由多个掺杂层和多个非掺杂层交替设置的周期性结构，所述掺杂层的材料为含有深能级掺杂元素的氮化物；所述高阻层中的掺杂层和非掺杂层的材料各自独立地选自于GaN、Al组分小于15％的AlGaN、以及AlGaInN中的任意一种。
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