[发明专利]硅衬底的表面改性方法

摘要

本发明提供了一种硅衬底的表面改性方法，用于在MOCVD工艺生长GaN衬底前的预处理，包括如下步骤采用改性离子注入至生长表面，所述改性离子中包括Al元素，还包括氮元素和氧元素中的至少一种。采用上述方法表面改性后的硅衬底可以用于高质量的氮化物的外延生长，其能避免氮化镓生长时镓液滴回融腐蚀现象，缓解应力，无裂纹产生，使晶体质量提高。本发明的优点在于，经过离子注入退火工艺后，硅衬底与氮化镓材料之间的晶格常数和热涨系数失配及应力问题得到很好的改善。本发明具有易操作、可控性好等优点，使外延生长条件窗口更宽。

主权项

一种硅衬底的表面改性方法，用于在MOCVD工艺生长GaN衬底前的预处理，其特征在于，包括如下步骤：采用改性离子注入至生长表面，所述改性离子中包括Al元素，还包括氮元素和氧元素中的至少一种，注入深度为10纳米‑1000纳米。