[发明专利]一种MPS二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种MPS二极管及其制造方法，所述MPS二极管包括：衬底，依次设置在所述衬底上的外延层和金属层，所述二极管还包括：埋置在所述外延层内部并与所述金属层接触的多个离子注入区，所述离子注入区通过在所述外延层中注入掺杂离子形成，所述离子注入区包括第一离子注入区和第二离子注入区，所述第二离子注入区嵌入在所述第一离子注入区中，并且所述第一离子注入区的上表面和所述第二离子注入区的上表面均与所述金属层接触。本发明通过多次离子注入降低了器件的漏电流，减小了器件的通态压降，提高了器件性能。

主权项

一种MPS二极管，包括衬底，依次设置在所述衬底上的外延层和金属层，其特征在于，所述二极管还包括：埋置在所述外延层内部并与所述金属层接触的多个离子注入区，所述离子注入区通过在所述外延层中注入掺杂离子形成，所述离子注入区包括第一离子注入区和第二离子注入区，所述第二离子注入区嵌入在所述第一离子注入区中，并且所述第一离子注入区的上表面和所述第二离子注入区的上表面均与所述金属层接触；其中，所述第一离子注入区的离子注入深度大于所述第二离子注入区的离子注入深度，所述第一离子注入区的第一掺杂离子的浓度小于所述第二离子注入区的第二掺杂离子的浓度，所述第二离子注入区与所述金属层形成欧姆接触，所述外延层与所述金属层形成肖特基接触。