[发明专利]刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置有效
| 申请号： | 201510318240.0 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106298498B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李俊良;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置。其中的在硅基片的背面刻蚀形成硅通孔的方法，包括：将硅基片以背面朝上的方式放置于等离子体刻蚀装置的反应腔中，所述硅基片背面的硅材料层的上方形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上方形成有光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述硬掩膜层，以形成硬掩膜图案；去除残余的光刻胶图案；以所述硬掩膜图案以掩模，刻蚀下方的硅材料层，以初步形成硅通孔；去除残余的硬掩膜图案；全局刻蚀所述硅材料层；将硅基片移出所述反应腔。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 形成 硅通孔 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.在硅基片的背面刻蚀形成硅通孔的方法，包括：将硅基片以背面朝上的方式放置于等离子体刻蚀装置的反应腔中，所述硅基片背面的硅材料层的上方形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层上方形成有光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述硬掩膜层，以形成硬掩膜图案；去除残余的光刻胶图案；以所述硬掩膜图案为掩模，刻蚀下方的硅材料层，以初步形成硅通孔；去除残余的硬掩膜图案；全局刻蚀所述硅材料层；将硅基片移出所述反应腔；所述反应腔内至少包括：与供气装置相连的进气区、待处理的硅基片所在的处理区，所述进气区与处理区之间设置有气体聚焦环，所述气体聚焦环的中央设置有开口，所述开口作为气体自所述进气区流通至所述处理区的通道；所述开口的大小在硅基片的处理过程中可调节；在所述全局刻蚀阶段所述开口的尺寸小于在所述初步形成硅通孔阶段或形成硬掩膜图案阶段或所述去除残余的硬掩膜图案阶段所述开口的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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